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J-GLOBAL ID：201702260868360208   Reference number：17A0355597

50 V Ultra High Power GaN HEMTs for P Band Application

P波セグメントの超高出力は50V GAN HEMTである。【JST・京大機械翻訳】

Author (9)： Chen Tao (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Liu Zhu (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wang Qi (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Gu Liming (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Jing Shaohong (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Yang Xing (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Li Zhonghui (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Peng Daqing (Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute)
Material： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Research & Progress of Solid State Electronics)
Volume： 36  Issue： 6  Page： 439-441  Publication year： 2016 
JST Material Number： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： A 0. 5μm GaN HEMT with AlN ins...

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Thesaurus term： VSWR ,  *HEMT ,  buffer layer ,  dual structure ,  optimization ,  voltage ,  leakage current
Semi thesaurus term： 絶縁破壊電圧 ,  出力密度 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (3)： GaN ,  microwave power transistor ,  field plate

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： P波 ,  セグメント ,  高出力 ,  GaN ,  HEMT