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J-GLOBAL ID：201702260891354476   Reference number：17A0085343

Single Transistor-Based Methods for Determining the Base Resistance in SiGe HBTs: Review and Evaluation Across Different Technologies

SiGe HBTのベース抵抗を測定する単一トランジスタに基づく方法:種々の技術のレビューと評価

Author (4)： Pawlak Andreas (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany) ,  Krause Julia (Infineon Technologies AG, Neubiberg, Germany) ,  Wittkopf Holger (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany) ,  Schroter Michael (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 63  Issue： 12  Page： 4591-4602  Publication year： 2016 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor material ,  silicon ,  germanium ,  *HBT ,  *base(semiconductor) ,  *electric resistance ,  solid state device model ,  *modeling ,  extraction ,  high speed ,  high voltage ,  electrical measurement ,  equivalent circuit ,  *BiCMOS ,  emitter ,  quantitative analysis ,  HF
Semi thesaurus term： *SiGe ,  *serial resistance ,  Compact modeling ,  parameter extraction ,  resistant measurement

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： SiGe ,  HBT ,  トランジスタ ,  レビュー ,  評価