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J-GLOBAL ID：201702271736043397   Reference number：17A0548617

ドレインコンダクタンス低減を企図したDual-gateエピ・グラフェンFETのオペランド顕微光電子分光を用いた動作機構解明(I)

Author (14)： SAITO KAZUMA (東北大 電通研) ,  OMIKA KEIICHI (東北大 電通研) ,  OKADA MASAYA (住友電気工業) ,  MITSUHASHI FUMINORI (住友電気工業) ,  TATENO YASUNORI (住友電気工業) ,  KOUCHI TSUYOSHI (住友電気工業) ,  NAGAMURA NAOKA (NIMS) ,  KONNO SHUN (東京理大) ,  TAKAHASHI YOSHINOBU (東京理大) ,  KOTSUGI MASATO (東京理大) ,  HORIBA KOJI (KEK/PF) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研) ,  OSHIMA MASAHARU (東大) ,  FUKIDOME HIROKAZU (東北大 電通研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-B6-5  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *graphene ,  epitaxy ,  *FET ,  gate (semiconductor) ,  Photoelectron Spectroscopy ,  electrode ,  voltage ,  pinch off ,  *frequency characteristic ,  current-voltage characteristic ,  conductance
Semi thesaurus term： epitaxial graphene ,  gate electrode ,  gate voltage ,  high frequency characteristic ,  graphene field effect transistor

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Atomic and molecular clusters  (BH09030O) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (3)： グラフェンFET ,  オペランド ,  光電子分光