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J-GLOBAL ID：201702274672111851   Reference number：17A0548457

部分キャップ制御による低密度InAs/GaAs量子ドットの形成~厚さ制御によるバックグラウンド発光低減~

Author (9)： KAKUDA MASAHIRO (東大 ナノ量子機構) ,  OTA YASUTOMO (東大 ナノ量子機構) ,  KURUMA KAZUHIRO (東大 生産技研) ,  WATANABE KATSUYUKI (東大 ナノ量子機構) ,  WATANABE KATSUYUKI (東大 生産技研) ,  IWAMOTO SATOSHI (東大 ナノ量子機構) ,  IWAMOTO SATOSHI (東大 生産技研) ,  ARAKAWA YASUHIKO (東大 ナノ量子機構) ,  ARAKAWA YASUHIKO (東大 生産技研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-313-4  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *protective film ,  *quantum dot ,  *gallium arsenide ,  *thickness control ,  background ,  light emission ,  MBE growth ,  photoluminescence
Semi thesaurus term： *cap-layer ,  *InAs quantum dot ,  GaAs ,  *thickness control ,  molecular beam epitaxial growth ,  exciton emission

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： キャップ ,  低密度 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  厚さ制御 ,  バックグラウンド