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J-GLOBAL ID：201702275635467779   Reference number：17A0550789

4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション~界面における炭素関連欠陥の電子状態~

Author (12)： YAMASAKI TAKAHIRO (NIMS) ,  TAJIMA NOBUO (NIMS) ,  KANEKO TOMOAKI (NIMS) ,  NARA JUN (NIMS) ,  YAMASAKI TAKAHIRO (MARCEED) ,  TAJIMA NOBUO (MARCEED) ,  KANEKO TOMOAKI (MARCEED) ,  NARA JUN (MARCEED) ,  SHIMIZU TATSUO (Toshiba R&D Center) ,  KATO KOICHI (Univ. of Tokyo) ,  ONO TAKAHISA (NIMS) ,  ONO TAKAHISA (MARCEED)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17a-301-4  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  oxide film ,  *defect ,  computer simulation ,  *oxidation ,  state density ,  surface level ,  electronic state
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  *interface defect ,  Molecular Dynamics Simulation ,  oxidation behavior ,  interface state ,  surface electronic state

JST classification (3)： Solid-solid interface  (CB12060M) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (10)： 4H-SiC ,  SiO2 ,  界面 ,  O2 ,  酸化 ,  第一原理 ,  シミュレーション ,  炭素 ,  欠陥 ,  電子状態