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J-GLOBAL ID：201702278762334124   Reference number：17A0550916

界面・表面エネルギー計算によるIII-V族窒化物極性表面・界面構造状態図の作成

Author (5)： AKIYAMA TOORU (三重大 大学院) ,  NAKANE HARUNOBU (三重大 大学院) ,  UCHINO MOTOI (三重大 大学院) ,  NAKAMURA KOJI (三重大 大学院) ,  ITO TOMONORI (三重大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17a-503-1  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *energy calculation ,  *compound semiconductor ,  *nitride ,  *surface structure ,  semiconductor ,  *phase diagram ,  polar semiconductor ,  III-V semiconductor ,  *structure
Semi thesaurus term： III-V compound semiconductor

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Phase equilibrium,phase diagram of multicomponent systems(inorg. subs.)  (CB03015S)

Terms in the title (7)： 界面 ,  表面エネルギー ,  計算 ,  窒化物 ,  極性 ,  界面構造 ,  状態図