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J-GLOBAL ID：201702279535149085   Reference number：17A0547870

(001)β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

Author (9)： HASHIGUCHI AKIHIRO (佐賀大 大学院) ,  MORIBAYASHI TOMOYA (佐賀大 大学院) ,  OSHIMA TAKAYOSHI (佐賀大 大学院) ,  OISHI TOSHIYUKI (佐賀大 大学院) ,  KOSHI KIMIYOSHI (タムラ製作所) ,  SASAKI KOHEI (タムラ製作所) ,  KURAMATA AKITO (タムラ製作所) ,  UEDA OSAMU (金沢工大) ,  KASU MAKOTO (佐賀大 大学院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.14p-502-5  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,  *leakage current ,  *lattice defect ,  Microscopy ,  barium oxide ,  scanning electron microscope
Semi thesaurus term： crystal defect

JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (4)： β-Ga2O3 ,  ショットキーバリアダイオード ,  リーク電流 ,  結晶欠陥