Art

J-GLOBAL ID：201702282768161312   Reference number：17A0550221

NiGe雪掻き効果による急峻な不純物分布をもつp⁺/n Ge接合の実現

Author (6)： MATSUMURA RYO (東大) ,  MATSUMURA RYO (日本学術振興会) ,  KATO TAKUMI (東大) ,  TAKAGUCHI RYOTARO (東大) ,  TAKENAKA MITSURU (東大) ,  TAKAGI SHIN'ICHI (東大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.16p-412-10  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： tunnel effect ,  *FET ,  source ,  *boron fluoride ,  *ion implantation ,  *nickel compound ,  *germanium compound ,  boron ,  *impurity distribution ,  *germanium ,  *PN junction ,  effect ,  RTA ,  secondary ion mass spectrometry ,  concentration distribution ,  film thickness ,  current density
Semi thesaurus term： *tunnel field effect transistor ,  雪掻き効果

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 雪掻き ,  不純物分布 ,  Ge