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J-GLOBAL ID：201702284712299143   Reference number：17A0166336

Effect of growth parameters on GaN in a vertical MOCVD reactor

GANの成長に及ぼす成長パラメータの影響を垂直垂直MOCVDにおいて研究した。【JST・京大機械翻訳】

Author (3)： Feng Lansheng (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian Univ.) ,  Guo Runqiu (School of Mechano-electronic Engineering, Xidian Univ.) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian Univ.)
Material： Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Xi'an Dianzi Keji Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
Volume： 43  Issue： 5  Page： 178-182  Publication year： 2016 
JST Material Number： W0859A  ISSN： 1001-2400  CODEN： XDKXEP  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： A simulation of reactants in t...

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Thesaurus term： chemical reactor ,  *MOCVD ,  reaction rate ,  flow velocity ,  growth stage ,  growth rate ,  gas phase ,  heterogeneity ,  simulation ,  suction(air)
Semi thesaurus term： 屋内 ,  反応ガス ,  反応過程 ,  反応物 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： GaN ,  MOCVD ,  GaN growth rate ,  reaction kinetics

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： GaN ,  成長 ,  成長パラメータ ,  垂直 ,  MOCVD ,  研究