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J-GLOBAL ID:201301022868356485   Update date: Mar. 13, 2023

Tomohiro Yoshida

Tomohiro Yoshida
Affiliation and department:
Research keywords  (6): Plating ,  コーティング ,  窒化アルミニウム ,  ダイヤモンド ,  薄膜成長 ,  半導体材料
Papers (19):
MISC (7):
Patents (1):
Lectures and oral presentations  (18):
  • 高純度FeおよびSi単体ターゲットを用いた同時スパッタリング法によるβ-FeSi<sub>2</sub>膜の作製
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 高速度鋼基板上へ形成したAlN硬質被膜の構造解析
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 反応性同軸型アークプラズマ堆積法によるAlNナノコンポジット硬質皮膜の作製
    (表面技術協会講演大会講演要旨集 2018)
  • 反応性同軸型アークプラズマ堆積法によるナノコンポジットAlN薄膜の構造解析
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017)
  • ナノコンポジットAlBN薄膜の硬度および膜構造に及ぼすB添加の効果
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017)
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Professional career (1):
  • 博士(工学) (九州大学)
Work history (3):
  • 2016/04 - 現在 Fukuoka Industrial Technology Center, Mechanics and Electronics Research Institute
  • 2013/04 - 2016/03 National Institute of Technology, Kurume College Department of Electrical and Electronics Engineering
  • 2011/04 - 2013/03 JFE Steel Corporation Plant Control Technology Section, Plant Control Department
Association Membership(s) (2):
THE SURFACE FINISHING SOCIETY OF JAPAN ,  THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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