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J-GLOBAL ID：201401026220012929
Update date: Sep. 01, 2020
Sato Soshi
サトウ ソウシ | Sato Soshi
Research keywords (2)：
磁気トンネル接合
, パワー半導体デバイス
MISC (82)：
Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa. Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2016. 58. 185-191
Soshi Sato, Kikuo Yamabe, Tetsuo Endoh, Masaaki Niwa. Formation mechanism of concave by dielectric breakdown on silicon carbide metal-oxide-semiconductor capacitor. MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2016. 58. 185-191
佐藤創志, 本庄弘明, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 丹羽正昭. 磁気トンネル接合素子のMgO膜における初期電流リークスポット密度のconductive AFM法による評価手法解析. 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第21回研究会). 2016
佐藤創志, 山部紀久夫, 遠藤哲郎, 丹羽正昭. Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所. 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第21回研究会). 2016
佐藤創志, 本庄弘明, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎, 丹羽正昭. Characterization of Leakage Spot Density in MgO Tunneling Barrier of Magnetic Tunneling Junction by Conductive AFM. 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第21回研究会). 2016
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Patents (4)：
ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法
ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法
ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法
ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法
Lectures and oral presentations (2)：
熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価
(第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013)
熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価
(第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013)
Professional career (1)：
博士(工学) (東京工業大学)
Work history (1)：
Tohoku University Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Research and Development Division Assistant Professor
Awards (2)：
2016 - トーキン財団奨励賞
2016 - Tokin Foundation Encouraging Prize
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