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J-GLOBAL ID：201401070517788780
Update date: Aug. 16, 2022
Asano Katsunori
アサノカツ ノリ | Asano Katsunori
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Affiliation and department：
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Homepage URL (1)：
http://www.kepco.co.jp/corporate/info/rd/index.html
Research keywords (3)：
Reliability
, Power Electronics
, Semiconductor Device
Research theme for competitive and other funds (1)：
2010 - 2014 低炭素社会創成へ向けた炭化珪素(SiC)革新パワーエレクトロニクスの研究開発
Papers (44)：
Atsushi Tanaka, Koji Nakayama, Katsunori Asano, Tetsuya Miyazawa, Hidekazu Tsuchida. Open circuit voltage decay characteristics of 4H-SiC p-i-n diode with carbon implantation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2014. 53. 4
Atsushi Tanaka, Koji Nakayama, Katsunori Asano, Tetsuya Miyazawa, Hidekazu Tsuchida. Conductivity Degradation of 4H-SiC p-i-n Diode with In-Grown Stacking Faults. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013. 52. 4. 04CP10.1-04CP10.4
Toshihiko Hayashi, Toru Izumi, Tetsuro Hemmi, Katsunori Asano. Insulating Properties of Package for Ultrahigh-Voltage, High-Temperature Devices. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012. 2013. 740-742. 1036-1039
Koji Nakayama, Tetsuro Hemmi, Katsunori Asano. Simulation of TEDREC Phenomena for 4H-SiC Pin Diode with p/n Type Drift Layer. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012. 2013. 740-742. 1107-1110
K. Nakayama, A. Tanaka, K. Asano, T. Miyazawa, H. Tsuchida. Influence of In-grown Stacking Faults on Electrical Characteristics of 4H-SiC Pin Diode with Long Carrier Lifetime. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012. 2013. 740-742. 903-+
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MISC (11)：
緒方 修二, 浅野 勝則, 松村 陽雄. 高効率SiC無停電電源装置の開発 : フルSiCパワーモジュールを適用 (特集 新しいパワー半導体の研究開発,利用の動向). 電気評論. 2013. 98. 10. 30-33
中山浩二, 石井竜介, 菅原良孝, 浅野勝則, 土田秀一, 宮澤哲哉. 大容量・高耐熱SiCツェナーダイオードの開発. OHM. 2011. 98. 3. 48-53
浅野勝則. 高過負荷100kVA級SiCインバータの開発. 電気評論. 2010. 95. 4. 61-64
緒方修二, 田中篤嗣, 泉徹, 三柳洋一, 中山浩二, 林利彦, 西村政彦, 浅野勝則, 菅原良孝. 高過負荷100kVA級SiCインバータの開発. パワーエレクトロニクス学会誌. 2010. 35. 178-183
田中篤嗣, 菅原良孝, 浅野勝則, 三柳洋一, 泉徹, 林利彦, 中山浩二, 緒方修二, 西村政彦, 石井竜介, et al. 100kVA級SiC小型インバータの開発. R&D News Kansai. 2009. 452. 16-17
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Patents (62)：
半導体装置及びその製造方法
半導体装置の製造方法および半導体装置
半導体装置の温度測定方法および半導体装置の温度測定装置2008-164629
半導体装置 平11-297994
半導体装置 平11-330496
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Books (1)：
半導体SiC技術と応用(共著)
日刊工業新聞社 2003
Lectures and oral presentations (74)：
超高耐圧(13kV) 4H-SiC PiNダイオードモジュールの静特性および動特性評価
(SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 2013)
Agナノペースト接合の温度サイクルに対する安定性評価
(SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 2013)
高速スイッチング素子を適用した高耐圧4H-SiC PiNダイオードの逆回復特性評価
(SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 2013)
Cause of Forward Voltage Degradation for 4H-SiC PiN Diode with Additional Process
(2013)
OCVD Characteristics of 4H-SiC PiN Diode with Carbon Implantation
(2013)
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Works (4)：
SiC電力変換回路及び装置開発
浅野勝則 2000 - 現在
SiCデバイス開発
浅野勝則 1997 - 現在
光サイリスタの信頼性評価研究
浅野勝則 1995 - 1999
サイリスタバルブ開発
浅野勝則 1992 - 1994
Education (3)：
2004 - 2006 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻(博士課程)
1989 - 1991 大阪大学大学院 基礎工学研究科 物理系専攻(電気工学)(修士課程)
1985 - 1989 Osaka University School of Engineering Science Direct Affiliates
Professional career (1)：
博士(工学) (京都大学)
Work history (3)：
1995/07 - 現在 関西電力株式会社 総合技術研究所(現技術研究所)
1992/06 - 1995/03 関西電力株式会社 本店工務部
1991/04 - 1992/06 関西電力株式会社 和歌山電力所
Committee career (2)：
2001 - 現在 電気学会 パワーエレクトロニクス標準化委員会委員
2012/04 - 2012/11 応用物理学会 SiC及び関連半導体研究第21回講演会実行委員会委員
Awards (4)：
2008/05 - Technical Development Award
2004/05 - Distinguished Paper Award
2003/05 - Technical Development Award
2002/06 - ISPSD Best Paper Award
Association Membership(s) (1)：
THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN
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