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J-GLOBAL ID：201602271882808957   Reference number：16A0941553

ScAlMgO₄(0001)基板上In_xGa_1-xN薄膜における格子整合近傍での組成引き込み効果

Author (3)： OZAKI TAKUYA (京大 大学院) ,  FUNATO MITSURU (京大 大学院) ,  KAWAKAMI YOICHI (京大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.15p-A21-4  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *lattice match ,  indium compound ,  gallium compound ,  nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  *effect ,  X-Ray Diffraction ,  *semiconductor thin film ,  MOCVD ,  thin film growth ,  lattice mismatch
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  *組成引き込み効果

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 薄膜 ,  格子整合 ,  近傍 ,  組成 ,  引き込み