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J-GLOBAL ID：201602279445368467   Reference number：16A1151402

Probing defects generation during stress in high-κ/metal gate FinFETs by random telegraph noise characterization

ランダム電信雑音の特性化による高k/金属ゲートFinFETにおけるストレス時のプロービング欠陥発生【Powered by NICT】

Author (5)： Puglisi Francesco Maria (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy) ,  Costantini Felipe (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy) ,  Kaczer Ben (imec - Kapeldreef 75, B-3001 Leuven - Belgium) ,  Larcher Luca (DISMI - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via Amendola 2, 42122 - Italy) ,  Pavan Paolo (DIEF - Universita` di Modena e Reggio Emilia - Via P. Vivarelli 10/1, 41125 - Italy)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ESSDERC  Page： 252-255  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： In this work, we report about ...

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Thesaurus term： probe ,  channel ,  *characterization
Semi thesaurus term： SILC ,  ゲート漏れ電流 ,  酸化物層 ,  *プロービング ,  *FinFET ,  *メタルゲート ,  *電信雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (4)： Microwave and millimeterwave communication  (ND08020W) ,  Pattern recognition  (JE07000S) ,  Radio communication in general  (ND08010L) ,  Code theory  (ND02030R)

Terms in the title (6)： 電信雑音 ,  特性化 ,  金属ゲート ,  FinFET ,  ストレス ,  欠陥