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J-GLOBAL ID：201702227952040912   Reference number：17A0168570

f_T /f_(max) >150 /210 GHz AlGaN/GaN HFETs with regrown n+-GaN Ohmic contacts by MOCVD

MOCVD再成長N~+GANオーム接触プロセスF_T/F_(MAX)>150/210GHZのALGAN/GAN HFETSデバイスについて研究した。【JST・京大機械翻訳】

Author (9)： Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhang Zhirong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Tan Xin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Guo Hongyu (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Fang Yulong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Zhou Xingye (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
Material： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai Yuhao Mibo Xuebao)
Volume： 35  Issue： 5  Page： 534-537,568  Publication year： 2016 
JST Material Number： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： Scaled AlGaN /GaN heterostruct...

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Thesaurus term： epitaxy ,  *ohmic contact ,  direct current ,  frequency ,  mutual conductance ,  heterojunction ,  self alignment ,  cutoff frequency ,  transistor ,  *MOCVD
Semi thesaurus term： 飽和電流 ,  電流利得 ,  *再成長 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： AlGaN /GaN ,  HFET ,  f_T ,  f_(max) ,  regrown Ohmic contacts

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： MOCVD ,  再成長 ,  オーム接触 ,  プロセス ,  Max ,  AlGaN ,  GaN ,  研究