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J-GLOBAL ID：201702229862230797   Reference number：17A0062584

High Power Density 1 500 A/3 300 V Insulated Gate Bipolar Transistor Module for Smart Grid Application

スマートグリッドは高出力密度1500A/3Vのバイポーラトランジスタモジュールを使用した。【JST・京大機械翻訳】

Author (5)： Liu Guoyou (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.)) ,  Huang Jianwei (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.)) ,  Qin Rongzhen (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.)) ,  Luo Haihui (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.)) ,  Zhu Liheng (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.))
Material： Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao  (Proceedings of the Chinese Society for Electrical Engineering)
Volume： 36  Issue： 10  Page： 2784-2792  Publication year： 2016 
JST Material Number： C2285A  ISSN： 0258-8013  CODEN： ZDGXER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Abstract/Point： In order to meet the demand of...

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Thesaurus term： optimization ,  electric current ,  voltage ,  switching loss ,  turn-on ,  IGBT ,  *smart grid ,  bias ,  safety driving ,  electron injection ,  *output density ,  modification
Semi thesaurus term： ゲート電圧 ,  接合温度 ,  セル設計 ,  二重拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (6)： insulated gate bipolar transistor (IGBT) ,  smart grid ,  electron injection enhanced ,  terrace gate ,  IGBT module ,  short circuit safe operation area

JST classification (1)： Electric power system in general  (NB02000E)

Terms in the title (4)： スマートグリッド ,  出力密度 ,  バイポーラトランジスタ ,  モジュール