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J-GLOBAL ID：201702230006628172   Reference number：17A0548654

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)-TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析-

Author (8)： OKUYAMA RYOSUKE (SUMCO) ,  SHIGEMATSU SATOSHI (SUMCO) ,  HIROSE RYO (SUMCO) ,  MASADA AYUMI (SUMCO) ,  KADONO TAKESHI (SUMCO) ,  KOGA YOSHIHIRO (SUMCO) ,  OKUDA HIDEHIKO (SUMCO) ,  KURITA KAZUNARI (SUMCO)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-F201-1  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： epitaxy ,  *wafer ,  *silicon ,  *molecular cluster ,  carbon ,  CAD ,  interstitial atom ,  computer simulation ,  secondary ion mass spectrometry ,  adsorption ,  elimination reaction ,  oxygen ,  hydrogen ,  *ion implantation ,  depth distribution ,  cluster ion
Semi thesaurus term： carbon cluster ,  TCAD

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (10)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  TCAD ,  注入 ,  軽元素 ,  捕獲 ,  拡散 ,  挙動 ,  理論解析