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J-GLOBAL ID：201702231385709359   Reference number：17A0226428

Enhanced Breakdown Voltage for All-SiC Module

エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 All-SiCモジュールの高耐圧化

Author (3)： HINATA YUICHIRO (富士電機) ,  TANIGUCHI KATSUMI (富士電機) ,  HORI MOTOHITO (富士電機)
Material： 富士電機技報  (Fuji Electric Journal)
Volume： 89  Issue： 4  Page： 242-246  Publication year： Dec. 30, 2016 
JST Material Number： F0080A  ISSN： 2187-1817  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： energy saving ,  *power transistor ,  *silicon carbide ,  *circuit module ,  *voltage ,  *IC package ,  electrode ,  arrangement ,  thickness ,  optimization ,  *field intensity ,  *thermal emissivity ,  electric design ,  *electric insulation ,  *material ,  *electrical loss
Semi thesaurus term： *power semiconductor ,  *power module ,  *withstand voltage ,  *semiconductor package ,  *encapsulant

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (5)：

• 仲村秀世ほか.All-SiCモジュールのパッケージ技術.富士電機技報.2015,vol.88,no.4,p241-244.
• 梨子田典弘ほか.メガソーラー用パワーコンディショナ向けAll-SiCモジュール.富士電機技報.2014,vol.87,no.4,p.244-248.
• Horio, M et al. ′′New Power Module Structure with Low Thermal Impedance and High Reliability for SiC Devices,′′ Proceedings of PCIM, 2011, p.229-234.
• Ikeda, Y et al. ′′Investigation on Wirebond-less Power Module Structure with High-density Packaging and High Reliability,′′ Proceedings of ISPSD, 2011, p.272-275.
• Horio, M et al. ′′Ultra Compact and High Reliable SiC MOSFET Power Module with 200°C Operating Capability,′′ Proceedings of ISPSD, 2012, p.81-84.

Terms in the title (6)： エネルギーマネジメント ,  パワー半導体 ,  ALL ,  SiC ,  モジュール ,  高耐圧