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J-GLOBAL ID：201702234109111370   Reference number：17A0550792

ドライおよびN₂O酸化により形成したSiO₂/4H-SiCの電子占有欠陥評価

Author (7)： WATANABE HIROMASA (名大 院) ,  OTA AKIO (名大 院) ,  IKEDA MITSUHISA (名大 院) ,  MAKIHARA KATSUNORI (名大 院) ,  MORI DAISUKE (富士電機) ,  TERAO YUTAKA (富士電機) ,  MIYAZAKI SEIICHI (名大 院)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.17a-301-7  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  defect ,  *photoelectron spectroscopy ,  *surface analysis ,  state ,  *thermal oxidation ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  nitrogen oxide
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,  interface defect ,  *photoemission yield spectroscopy ,  defect state ,  XPS analysis ,  *defect formation

JST classification (2)： Experimental techniques of observation of lattice defects  (BK12020U) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： N2O ,  酸化 ,  SiO2 ,  4H-SiC ,  電子 ,  欠陥 ,  評価