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J-GLOBAL ID：201702236802750393   Reference number：17A0357656

High-power,high-efficient GaSb-based quantum well laser diodes emitting at 2 μm

高出力2ΜM アンチモンドープ量子井戸レーザを用いた。【JST・京大機械翻訳】

Author (9)： Liao Yongping (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yu (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Chengao (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Shushan (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Chai Xiaoli (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Guowei (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Yingqiang (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Ni Haiqiao (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Niu Zhichuan (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
Material： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai Yuhao Mibo Xuebao)
Volume： 35  Issue： 6  Page： 672-675  Publication year： 2016 
JST Material Number： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： GaSb-based AlGaAsSb / InGaSb t...

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Thesaurus term： *quantum well laser ,  electric current ,  wavelength ,  energy conversion efficiency ,  pulse frequency ,  *high power output
Semi thesaurus term： 最大出力 ,  デューティサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (4)： high power ,  laser diodes ,  infrared ,  quantum wells

JST classification (3)： Electroforming  (WC08040Y) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (4)： 高出力 ,  アンチモン ,  ドープ ,  量子井戸レーザ