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J-GLOBAL ID：201702240937474155   Reference number：17A0543266

素子単独SiC-MOSFETによる直流電圧10,000Vのスイッチング特性

Author (3)： KITAI HIDENORI (産業技術総合研) ,  HOZUMI YASUO (産業技術総合研) ,  FUKUDA KENJI (産業技術総合研)
Material： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
Volume： 2017  Page： ROMBUNNO.4-013  Publication year： Mar. 05, 2017 
JST Material Number： S0653B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,  *MOSFET ,  direct voltage ,  switching ,  circuit characteristic

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： SiC ,  MOSFET ,  直流電圧 ,  スイッチング特性