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J-GLOBAL ID：201702277109073956   Reference number：17A0548657

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(4)-注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影響(2)-

Author (9)： MASADA AYUMI (SUMCO) ,  NAKAI TOSHIRO (SUMCO) ,  HIROSE RYO (SUMCO) ,  SHIGEMATSU SATOSHI (SUMCO) ,  KADONO TAKESHI (SUMCO) ,  OKUYAMA RYOSUKE (SUMCO) ,  KOGA YOSHIHIRO (SUMCO) ,  OKUDA HIDEHIKO (SUMCO) ,  KURITA KAZUNARI (SUMCO)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 64th  Page： ROMBUNNO.15a-F201-4  Publication year： Mar. 01, 2017 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： gettering ,  adsorption ,  epitaxy ,  *wafer ,  silicon ,  molecular cluster ,  carbon ,  secondary ion mass spectrometry ,  *ion implantation ,  *iron ,  concentration distribution ,  temperature dependence ,  lattice defect ,  *capture ,  oxygen ,  cluster ion
Semi thesaurus term： carbon cluster ,  atom trapping

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (8)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  注入 ,  酸素 ,  重金属 ,  ゲッタリング ,  能力