Art

J-GLOBAL ID：201702282215784721   Reference number：17A0055455

Electrical and optical characterization of freestanding Ge₁Sb₂Te₄ nano-membranes integrated in coplanar strip lines

コプレーナストリップ線路に集積された自立Ge_1Sb_2Te_4ナノ膜の電気的および光学的キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Author (10)： Mikulics M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Marso M. (Faculte ́ des Sciences, de la Technologie et de la Communication, Universite ́ du Luxembourg, L-1359 Luxembourg) ,  Adam R. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Schuck M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Fox A. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Sobolewski R. (Department of Electrical and Computer Engineering and Laboratory for Laser Energetics, University of Rochester, Rochester, New York 14627-0231, USA) ,  Kordos P. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak Technical University, SK-81219 Bratislava, Slovak Republic) ,  Luth H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Grutzmacher D. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Hardtdegen H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： ASDAM  Page： 73-76  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We developed a transfer and in...

Register(free) or Log In to access     To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0055455&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2441A") }}

Thesaurus term： memory(computer) ,  nitride ,  *characterization ,  optoelectronics ,  integral ,  chalcogenide ,  switching effect ,  current density ,  optimization ,  *nanosheet
Semi thesaurus term： 低エネルギー ,  電荷輸送 ,  抵抗スイッチング ,  超高速 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： 線路 ,  集積 ,  自立 ,  ナノ膜 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション