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J-GLOBAL ID：201702284049706182   Reference number：17A1955486

Nanoscale investigation of the power MOSFET by the AFM/KFM/SCFM

AFM/KFM/SCFMによる電力MOSFETのナノスケール調査

Author (4)： NAKAJIMA Mizuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  UCHIDA Yuuki (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  SATOH Nobuo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO Hidekazu (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
Material： Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts. International Symposium on Surface Science (CD-ROM))
Volume： 8th  Page： ROMBUNNO.4PA-22  Publication year： 2017 
JST Material Number： L8395B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *semiconductor device ,  force microscope ,  *atomic force microscope ,  scale
Semi thesaurus term： *power semiconductor devices ,  Kelvin probe force microscope ,  nanoscale

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (4)： AFM ,  電力MOSFET ,  ナノスケール ,  調査