研究者
J-GLOBAL ID:200901000723001178   更新日: 2020年05月13日

原 央

ハラ ヒサシ | Hara Hisasi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (5件): 半導体 ,  MOSトランジスタ ,  集積回路 ,  Semiconductor ,  Integrated Circuits. MOS Transistor
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • VLSIの設計法の研究
  • 短チャネルMOSデバイスの研究
  • Study on Design Methodology of VLSI's
  • Study on Short-channel MOS Transistor
MISC (3件):
学歴 (2件):
  • - 1964 東京大学 数物系研究科 電気工学
  • - 1964 東京大学
学位 (1件):
  • 工学博士 (東京大学)
受賞 (5件):
  • 2002 - 国際固体素子・材料コンファレンスの表彰
  • 2002 - SSDM Award
  • 1994 - IEEEのRappaport Award
  • 1985 - 関東地方発明表彰
  • 1983 - 全国発明表彰
所属学会 (2件):
IEEE ,  電子情報通信学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る