研究者
J-GLOBAL ID:200901000723001178
更新日: 2020年05月13日
原 央
ハラ ヒサシ | Hara Hisasi
所属機関・部署:
旧所属 高知工科大学 工学部 電子・光システム工学科
旧所属 高知工科大学 工学部 電子・光システム工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (5件):
半導体
, MOSトランジスタ
, 集積回路
, Semiconductor
, Integrated Circuits. MOS Transistor
競争的資金等の研究課題 (4件):
VLSIの設計法の研究
短チャネルMOSデバイスの研究
Study on Design Methodology of VLSI's
Study on Short-channel MOS Transistor
MISC (3件):
A Novel Circuit Tecbnology with Surrounding, Gate Transisfors (SGTs) for Ultra High Density DRAM's. IEEE J. Solid State Circuits. 1995. 30. 9. 960-971
T TANAKA, Y TANAKA, H NAKAMURA, K SAKUI, H OODAIRA, R SHIROTA, K OHUCHI, F MASUOKA, H HARA. A QUICK INTELLIGENT PAGE-PROGRAMMING ARCHITECTURE AND A SHIELDED BITLINE SENSING METHOD FOR 3-V-ONLY NAND FLASH MEMORY. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS. 1994. 29. 11. 1366-1373
P-MOSFET's with Ultra-Shallow Solid-Pbose Diffused Drain Structure Produced by Diffusion from BSG Gate Sidewael. IEEE Tans. Electron Devices. 1993. 40. 12. 2264-2272
学歴 (2件):
- 1964 東京大学 数物系研究科 電気工学
- 1964 東京大学
学位 (1件):
工学博士 (東京大学)
受賞 (5件):
2002 - 国際固体素子・材料コンファレンスの表彰
2002 - SSDM Award
1994 - IEEEのRappaport Award
1985 - 関東地方発明表彰
1983 - 全国発明表彰
所属学会 (2件):
IEEE
, 電子情報通信学会
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