研究者
J-GLOBAL ID:200901002289780468
更新日: 2020年04月30日
前田 元輝
マエダ モトキ | Maeda Motoki
所属機関・部署:
旧所属 東京工業大学 総合理工学研究科 電子機能システム専攻
旧所属 東京工業大学 総合理工学研究科 電子機能システム専攻 について
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職名:
大学院学生(博士課程)
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (2件):
電子工学一般
, Electric engineering in general
競争的資金等の研究課題 (2件):
量子効果デバイス, ヘテロエピタキシャル成長
Quantum effect devices, Heteroepitaxial growth
MISC (4件):
M Maeda, S Watanabe, K Tsutsui. Evaluation of variable energy level of conduction band edge on fluoride resonant tunneling diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 10A. L1216-L1218
M Maeda, H Kambayashi, S Watanabe, K Tsutsui. Heteroepitaxy of Cd-rich CaxCd1-xF2 alloy on Si substrates and its application to resonant tunneling diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 4B. 2453-2457
M Maeda, H Kambayashi, S Watanabe, K Tsutsui. Heteroepitaxy of Cd-rich CaxCd1-xF2 alloy on Si substrates and its application to resonant tunneling diodes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2003. 42. 4B. 2453-2457
MAEDA M, WATANABE S, TSUTSUI K. Evaluation of Variable Energy Level of Conduction Band Edge on Fluoride Resonant Tunneling Diodes. Japanese Journal of Applied Physics. 2003. 42. 10A. L1216-L1218
学歴 (4件):
- 2003 東京工業大学 総合理工学研究科 電子機能システム専攻
- 2003 東京工業大学
- 2001 埼玉大学 工学部 機能材料工学科
- 2001 埼玉大学
学位 (1件):
工学修士 (東京工業大学)
所属学会 (1件):
応用物理学会
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