研究者
J-GLOBAL ID：200901003304666568
更新日: 2020年08月30日
周 逸凱
ゾウ イカイ | Zhou Yikai
所属機関・部署：
大阪大学 産業科学研究所
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職名：
その他
競争的資金等の研究課題 (2件)：
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MISC (107件)：
H. Tambo, S. Hasegawa, H. Kameoka, Y. K. Zhou, S. Emura, H. Asahi. Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2011. 323. 1. 323-325
H. Tambo, S. Hasegawa, H. Kameoka, Y. K. Zhou, S. Emura, H. Asahi. Low-temperature molecular beam epitaxy growth and properties of GaGdN nanorods. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2011. 323. 1. 323-325
A. Yabuuchi, M. Maekawa, A. Kawasuso, S. Hasegawa, Y. K. Zhou, H. Asahi. Defect structure of MBE-grown GaCrN diluted magnetic semiconductor films. 12TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON SLOW POSITRON BEAM TECHNIQUES (SLOPOS12). 2011. 262
H. Tambo, S. Hasegawa, K. Higashi, R. Kakimi, S. N. M. Tawil, Y. K. Zhou, S. Emura, H. Asahi. Structural and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor GaGdN nanorods. PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2. 2011. 8. 2
Carrier-mediated ferromagnetism in InGaGdN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Proceedings of the 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Material. 2011. pp.252-255
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Works (12件)：
スピン依存弾道電子マッピング法の開発と半導体へのスピン注入機構の解明
2009 -
室温強磁性窒化物物半導体ナノ構造とナノスピントロニクスデバイス応用に関する研究
2009 -
InGaNベース強磁性半導体による長波長円偏光半導体レーザ創製に関する研究
2009 -
希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓
2009 -
室温強磁性窒化物物半導体ナノ構造とナノスピントロニクスデバイス応用に関する研究
2008 -
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受賞 (2件)：
2006 - Best Paper Award
2006 - Best Paper Award
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