研究者
J-GLOBAL ID:200901003857786162   更新日: 2024年02月01日

仙波 伸也

Senba Shinya
所属機関・部署:
職名: 教授
研究キーワード (3件): phase change material ,  MBE ,  magnetic-semiconductor
競争的資金等の研究課題 (9件):
  • 2019 - 2023 自己潤滑性の高い軟質金属と硬質炭素のナノ複合構造化による摩擦界面温度センサの創製
  • 2020 - 2023 遷移金属元素ドープによる相変化材料GeTeの結晶歪を制御した結晶化温度の改善
  • 2019 - 2022 IV-VI族半導体を利用したスピン流-電流変換電極応用に関する研究
  • 2015 - 2017 テルライド系磁性半導体におけるスピン機能による熱電効果の研究
  • 2012 - 2014 スピンフィルタ二重障壁構造の作製とホールスピン注入源の開発
全件表示
論文 (14件):
MISC (18件):
  • 仙波 伸也. Fabrication of fully epitaxial tunnel junctions with a EuS ferromagnetic barrier by molecular beam epitaxy. The 18 th Interntional Coference on Crystal Growth and Epitaxy, Nagoya (Japan), ThP-T05-4.(要旨集p.163). 2016
  • 仙波 伸也. Influence of substituting Te for S on magnetization of EuS thin films. The 20th International conference on magnetism, Barcelona(Spain), Book of abstracts, Mo.H-P92. 2015
  • 細川 伸也, 八方 直久, 仙波 伸也, 尾崎 徹, 林 好一. 25pKE-8 歪んだ岩塩構造のGeTeは蛍光X線ホログラフィーでどう見えるか?(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 842-842
  • 仙波 伸也. MBE growth of ferromagnetic EuS thin film on InP(100) substrate. The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Nara(Japan).(要旨集p.73). 2012
  • 仙波 伸也. Characterization of Epitaxial EuS(111) Thin Films on BaF2(111) and SrF2(111) Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy. The 19th International conference on magnetism, Busan(Korea).(要旨集p.233). 2012
もっと見る
Works (1件):
  • Design of the soft X-ray resonant inverse-photoemission spectrometer
    2000 -
学位 (1件):
  • 博士(理学) (広島大学)
経歴 (1件):
  • 2001/04 - 現在 宇部工業高等専門学校 電気工学科
所属学会 (3件):
日本応用物理学会 ,  日本放射光学会 ,  日本物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る