研究者
J-GLOBAL ID：200901004624379849   更新日: 2024年01月31日

大鉢 忠

オオハチ タダシ | Ohachi Tadashi
所属機関・部署：
同志社大学 理工学部

同志社大学 理工学部 について


職名： 名誉教授
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学
競争的資金等の研究課題 (14件)：
  • 2008 - 2010 表面構造制御法開発による準安定立方晶III族窒化物半導体の創製と物性制御
  • 2001 - 2006 立方晶3族窒化物半導体の分子線エピタキシー成長
  • 2001 - 2006 Growth of group 3 nitrid semichonductors by MBE
  • 1996 - 1996 空隙型スピネル構造のイオン移動経路における高速イオンのイオンダイナミクス
  • 1995 - 1995 銀銅空孔欠陥型硫化物スピネル化合物のマイクロ波領域でのイオンダイナミクス
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論文 (23件)：
  • Tadashi Ohachi, Tadashi Ohachi, Yuka Yamamoto, Osamu Ariyada, Yuuki Sato, Sinzo Yoshikado, Motoi Wada. Activity modulation MEE growth of 2H-AlN on Si(111) using double buffer layer grown by PA-MBE. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2013. 10. 429-432
  • Qingbo Liu, Dehui Sun, Tao Yan, Feifei Zheng, Yunhua Sang, Hong Liu, Jiyang Wang, Tadashi Ohachi. Spray drying mass-production route for Mg-doped LiNbO3 (Mg:LN) polycrystalline powder based on a wet-chemical method. CrystEngComm. 2012. 14. 17. 5572-5578
  • Haiming Qin, Hong Liu, Yuanhua Sang, Yaohui Lv, Xiaolin Zhang, Yuanyuan Zhang, Tadashi Ohachi, Jiyang Wang. Ammonium sulfate regulation of morphology of Nd:Y 2O 3 precursor via urea precipitation method and its effect on the sintering properties of Nd:Y 2O 3 nanopowders. CrystEngComm. 2012. 14. 5. 1783-1789
  • Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Tadashi Ohachi. Epitaxial growth of β-Si3N4 by the nitridation of Si with adsorbed N atoms for interface reaction epitaxy of double buffer AlN(0001)/β-Si3N4/Si(111). Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2011. 8. 5. 1552-1555
  • Tadashi Ohachi, Nobuhiko Yamabe, Yuka Yamamoto, Motoi Wada, Osamu Ariyada. In situ measurement of adsorbed nitrogen atoms for PA-MBE growth of group III nitrides on Si. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2011. 8. 5. 1491-1494
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MISC (189件)：
  • 大鉢 忠, 和田 元. 3族窒化物RF-MBE成長における励起窒素分子の利用 (第46回 同志社大学理工学研究所研究発表会 2007年度 同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム). 同志社大学理工学研究報告. 2008. 48. 4. 113-118
  • 大鉢 忠, 和田 元. 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム). 同志社大学理工学研究報告. 2007. 47. 4. 59-64
  • 下村 浩司, 折出 和章, 山邊 信彦, 乾 紘輔, 武田 祥宏, 芝滝 健太郎, 有屋田 修, 和田 元, 大鉢 忠. RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換. 日本結晶成長学会誌. 2006. 33. 4. 197-197
  • 大鉢 忠. Si上への立方晶GaNのMBE成長. 日本結晶成長学会誌. 2005. 32. 3. 199-200
  • 菊池 友, ソミンタック アルマンド S., 有屋田 修, 和田 元, 大鉢 忠. 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長. 日本結晶成長学会誌. 2005. 32. 3. 140-140
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特許 (2件)：
  • 分子線エピタキシャル装置および分子線エピタキシャル装置を用いた?族グループ窒化物の立方晶単結晶薄膜の製造方法
  • 分子線エピタキシャ装置および分子線エピタキシャル装置を用いた?族グループ窒化物の立方晶単結晶薄膜の製造方法
書籍 (21件)：
  • Cubic and hexgonal GaN growth on 3CSiC template using RF MBE (共著)
    2005
  • Atomic nitrogen production for GaN growth using RF-MBE (共著)
    2005
  • Cubic and hexgonal GaN growth on 3CSiC template using RF MBE (jointly worked)
    Hybrid Nanostructured Materials and their Applications Eds T. Ohachi, A. S. Somintac and M. Wada 2005
  • Atomic nitrogen production for GaN growth using RF-MBE (jointly worked)
    Hybrid Nanostructured Materials and their Applications Eds T. Ohachi, A. S. Somintac and M. Wada 2005
  • Silver atomic traps in &alpha;-Ag<SUB>2</SUB>Se measured by Coulometric titration method
    2004
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学歴 (2件)：
  • - 1966 同志社大学 工学研究科 電気工学専攻
  • - 1964 同志社大学 工学部 電気工学科
学位 (2件)：
  • Doctor of Engineering (Doshisha University)
  • Master of Engineering (Doshisha University)
経歴 (13件)：
  • 1994 - (昭和39)年3月 同志社大学工学部電気工学科卒業
  • 1991 - (平成3)年4月 同志社大学大学院博士後期課程教授
  • 1988 - (昭和63)年4月 同志社大学大学院博士前期課程教授
  • 1984 - (昭和59)年4月 同志社大学工学部教授現在にいたる。
  • 1975 - (昭和50)年6月 工学博士(同志社大学)
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委員歴 (3件)：
  • 2002 - 2004 日本結晶成長学会 会長
  • 1995 - 2001 日本結晶成長学会 渉外理事
  • 1989 - 固体イオニクス学会 幹事
所属学会 (7件)：
電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会 ,  日本物理学会 ,  日本マイクログラビティー応用学会 ,  応用物理学会 ,  固体イオニクス学会
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