研究者
J-GLOBAL ID:200901005465826673   更新日: 2024年01月30日

遠藤 哲郎

エンドウ テツオ | Endoh Tetsuo
所属機関・部署:
職名: 教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 東北大学  国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長 CSISー 副センター長
ホームページURL (1件): http://www.ecei.tohoku.ac.jp/endohlab/
研究分野 (4件): ナノバイオサイエンス ,  ナノ材料科学 ,  ナノマイクロシステム ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): グリーンパワー集積回路
競争的資金等の研究課題 (145件):
  • 2022 - 2031 次世代X-nics半導体創生拠点形成事業/スピントロニクス融合半導体創出拠点
  • 2023 - 2027 スピントロニクス・二次元物質の縦型素子
  • 2023 - 2027 スマートエネルギーマネジメントシステムの構築/サブ課題B (エネルギー生産・変換・貯蔵・輸送)/B3 系統安定化をサポートするUSPMによるインテリジェントパワエレシステムの開発
  • 2014 - 2026 不揮発性ワーキングメモリとその製造技術開発を目指したSTT-MRAMの研究開発
  • 2014 - 2026 Research and Development of electrical characteristics evaluation technologies for STT-MRAM aimed at developing non-volatile working memory
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論文 (843件):
  • Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Nobuki Tezuka, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh. Field-free spin-orbit torque switching and large dampinglike spin-orbit torque efficiency in synthetic antiferromagnetic systems using interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction. Physical Review B. 2023. 108. 2
  • Yoshiaki Saito, Shoji Ikeda, Hirofumi Inoue, Tetsuo Endoh. Enhancement of Damping-Like Spin-Orbit-Torque Efficiency in Synthetic Antiferromagnetic System using Pt-Cu Alloy. 2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers). 2023
  • Keisuke Morishita, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi. Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory: A First-Principles Study. IEEE Transactions on Magnetics. 2023. 59. 4. 1-6
  • Tao Li, Yitao Ma, Tetsuo Endoh. Neuromorphic processor-oriented hybrid Q-format multiplication with adaptive quantization for tiny YOLO3. Neural Computing and Applications. 2023
  • Tao Li, Li Zhang, Yitao Ma, Tetsuo Endoh. Bridging Artificial Intelligence and Devices: Power Reduction Method of Non-volatile Devices with Error-resilient Deep Neural Networks. IEEE Transactions on Magnetics. 2023. 1-1
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MISC (34件):
  • H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, et al. A demonstration of high-performance STT-MRAM by development of unit process and integration process. ICD研究会. 2019
  • 遠藤 哲郎. 第1回「省エネ、大容量化を可能にする半導体デバイスの開発」. 科学技術振興機構(JST)「サイエンスポータル」コラムインタビュー記事. 2017
  • 遠藤 哲郎. 産学共創のステージへ(1)幕上がる「OPERA」. 日刊工業新聞1面. 2017
  • 遠藤 哲郎. 世界のトップ企業が集まる最先端R&D拠点を日本に. 日経エレクトロニクス 2016年12月号. 2017. 1174. 97-101
  • Hideo Ohno, Masafumi Yamamoto, Tetsuo Endoh, Yasuo Ando, Takahiro Hanyu, Kohei M. Itoh, Masaaki Tanaka, Seiji Mitani, Hitoshi Wakabayashi. Spintronics Materials and Devices for Working Memory Technology FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2017. 56. 8
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特許 (99件):
書籍 (3件):
  • MEMS/NEMS工学大全
    (株)テクノシステム 2008
  • 【最新】携帯電話 技術全集
    2008
  • フラッシュメモリ技術ハンドブック
    1993
講演・口頭発表等 (209件):
  • スピントロニクス省電力半導体と WBG高効率パワーエレによるゲームチェンジと、高度情報・低炭素社会への貢献
    (JEDAT Solution Seminar 2023~ Catch the waves! 2023)
  • スピントロニクス省電力半導体と WBG高効率パワーエレによるゲームチェンジと、高度情報・低炭素社会への貢献
    (JEDAT Solution Seminar 2023~ Catch the waves! 2023)
  • 「スピントロニクス省電力半導体によるイノベーション」-半導体のゲームチェンジ技術によるカーボンニュートラルへの貢献-
    (東北大学フォーラム2023 in 東京 2023)
  • 世界の半導体戦略動向とSDGs・カーボンニュートラルに貢献する省エネ半導体
    (次世代半導体産業セミナー 2023)
  • 不揮発性メモリとスピントロニクス省電力ロジック
    (IEEE Sendai Section 新 Fellow 記念講演会 2023)
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学歴 (1件):
  • - 1987 東京大学 理学部 物理学科表面物性
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (12件):
  • 2012/10 - 現在 東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長、 教授
  • 2012/10 - 現在 東北大学 スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長、 教授
  • 2012/10 - 現在 東北大学 国際共同大学院 教授
  • 2012/04 - 現在 東北大学 大学院 工学研究科 教授 教授
  • 2010/03 - 現在 東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 副センター長・教授 副センター長・教授
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委員歴 (92件):
  • 2022/12 - 現在 IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers) Fellow
  • 2021/12 - 現在 日本学術振興会 ハイブリッド量子ナノ技術委員会委員
  • 2019/04 - 現在 岩手県 アドバイザリーボード
  • 2019/04 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会代議員
  • 2019/04 - 現在 IRPS Memory Committee
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受賞 (7件):
  • 2017/06/12 - 公益社団法人発明協会 平成 29 年度全国発明表彰「21 世紀発明奨励賞」 ボディーチャネル型MOSFETによる3次元集積化メモリー高度化の発明
  • 2016/08/19 - 内閣府 第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」 高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び、国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築
  • 2012/09/25 - 応用物理学会、IEEE 2012 SSDM Paper Award Studies on Static Noise Margin and Scalability for Low-Power and High-Density Nonvolatile SRAM using Spin-Transfer-Torque (STT) MTJsに対する論文賞
  • 2012/09/11 - 応用物理学会 第6回応用物理学会フェロー 不揮発性メモリの実用研究と立体構造メモリ・ロジックの先導研究
  • 2011/09/02 - 日本表面科学会 平成23年度日本表面科学会論文賞 Raman-Scattering Spectroscopy of Epitaxial Graphene Formed on SiC Film on Si Substrateに対する論文賞
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所属学会 (4件):
応用物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc) ,  電気学会
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