研究者
J-GLOBAL ID：200901006313964678
更新日: 2021年10月25日
吉川 功
ヨシカワ コウ | Yoshikawa Koh
所属機関・部署：
旧所属 山梨大学 大学院工学研究科 博士後期課程
旧所属 山梨大学 大学院工学研究科 博士後期課程 について
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職名：
大学院学生(博士課程)
研究分野 (2件)：
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件)：
パワーデバイス
, 電力変換
, 半導体
, Power Device
, Power Conversion
, Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件)：
高耐圧・大容量IGBTに関する研究
Research for High Voltage and High Power IGBT
MISC (5件)：
A Study on Wide RBSOA of 4.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Deviced and ICs. 2001. 1, 117-120
A Study on Wide RBSOA of 4.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Deviced and ICs. 2001. 1, 117-120
Y Takahashi, K Yoshikawa, M Soutome, T Fujii, H Kirihata, Y Seki. 2.5 kV-1000 a power pack IGBT (high power flat-packaged NPT type RC-IGBT). IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 1999. 46. 1. 245-250
Koh Yoshikawa, Takeharu Koga, Takeshi Fujii, Tsutomu Katoh, Yoshikazu Takahashi, Yasukazu Seki. A Novel Chip Design Concept of High Turn-off Current Capability and High Short Circuit Capability for 2.5kV Power Pack IGBT. Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICS. 1999. 177-180
2.5kV/1.8kAパワーパックIGBT. 電気学会研究会資料. 1997. 47-52
学歴 (2件)：
- 1993 京都大学 工学部 金属系
- 1993 京都大学
所属学会 (1件)：
日本電気学会
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