研究者
J-GLOBAL ID：200901007672980936
更新日: 2022年09月13日
生地 文也
ショウジ フミヤ | Shoji Fumiya
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所属機関・部署：
九州共立大学 総合研究所
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研究分野 (2件)：
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (4件)：
2010 - 2011 低ガス圧柱状プラズマ法による新規の炭素物質創製
Fabrication of thin films by hot-cathode penning sputtering
Low-energy recoil ion spectrometry stuies of hydrogen on solid surfaces.
Structure analysis of surfaces by low-energy ion scattering spectrometry.
MISC (49件)：
F Shoji. A low-energy ion beam system for studying energetic ion deposition on Silicon surfaces. VACUUM. 1999. 53. 3-4. 459-464
M Naitoh, H Shimaya, S Nishigaki, N Oishi, F Shoji. Bismuth-induced surface structure of Si(100) studied by scanning tunneling microscopy. APPLIED SURFACE SCIENCE. 1999. 142. 1-4. 38-42
Hayakawa Yuko, Kohiki Shigemi, Arai Masao, Yoshikawa Hideki, Fukushima Sei, Wagatsuma Kazuaki, Oku Masaoki, Shoji Fumiya. Electronic Structure and Electrical Properties of Amorphous OsO2. Physical Review. B. 1999. 59. 17. 11125-11127
M Naitoh, A Konishi, H Inenaga, S Nishigaki, N Oishi, F Shoji. Ga-rich GaP(001)(2x4) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy. SURFACE SCIENCE. 1998. 402. 1-3. 623-627
F Shoji, A Yamada, T Shiramizu, K Oura. Surface-recoil processes of hydrogen on Si(100)-2x1 : H and Si(100)-1x1 : 2H surfaces studied by low-energy He ion beams. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS. 1998. 135. 1-4. 366-371
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学歴 (2件)：
- 1965 大阪工業大学 工学部 機械
- 1965 大阪工業大学
所属学会 (6件)：
ニュ-ヨ-ク科学アカデミ-
, アメリカ材料学会
, 日本真空協会
, 計測自動制御学会
, 日本物理学会
, 応用物理学会
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