研究者

J-GLOBAL ID：200901008483309766 更新日: 2022年08月17日

篠原啓介

シノハラケイスケ | Shinohara Keisuke

所属機関・部署：
職名：研究官

研究キーワード (8件)： High electron mobility transistor , Electric device , Crystal growth , Semiconductor , 高電子移動度トランジスタ , 電子デバイス , 結晶成長 , 半導体

競争的資金等の研究課題 (2件)：

化合物半導体デバイス
compound semiconductor device

MISC (20件)：

K Shinohara, Y Yamashita, A Endoh, K Hikosaka, T Matsui, T Mimura, S Hiyamizu. Extremely high-speed lattice-matched InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors with 472 GHz cutoff frequency. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 4B. L437-L439
K Shinohara, Y Yamashita, A Endoh, K Hikosaka, T Matsui, T Mimura, S Hiyamizu. Extremely high-speed lattice-matched InGaAs/InAlAs high electron mobility transistors with 472 GHz cutoff frequency. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 4B. L437-L439
Simple and high-precision asymmetvic gate-recess for ultrafast Inp-based high electron mobility transistors. J.Vac.Sci.TechnolB20. 2002. 2096-2100
Simple and high-precision asymmetvic gate-recess for ultrafast Inp-based high electron mobility transistors. J.Vac.Sci.TechnolB20. 2002. 2096-2100
Shinohara Keisuke, Shimomura Satoshi, Hiyamizu Satoshi. Sharp Transmission Coefficient in GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with (411)A Superflat Interfaces Grown by Molecular Beam Epitaxy. Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes. 1999. 38. 9. 5037-5039

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学歴 (4件)：

大阪大学基礎工学部物性物理工学科
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻博士課程
Osaka University,Faculty of Engineering Science
大阪大学大学院基礎工学研究科

学位 (1件)：

工学博士

経歴 (3件)：

1998 - :大阪大学基礎工学部物性物理工学科研究員(日本学術振興会)
1998 - Research Fellow of the Japan Society for
the Promotion of Science for Young Scientists

受賞 (2件)：

2002 - 講演奨励賞「応用物理学会」
2002 - research paper presentation award 「the Japan Society of Applied Physics」

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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