研究者
J-GLOBAL ID：200901008891945093
更新日: 2020年06月07日
小山 政俊
コヤママサトシ | Masatoshi Koyama
ホームページURL (1件)：
http://www.oit.ac.jp/www-ee/server/semicon/
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 磁性、超伝導、強相関系
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件)：
半導体物性
, 半導体ナノ構造
競争的資金等の研究課題 (1件)：
2005 - 半導体ナノ構造デバイスに関する研究
MISC (3件)：
M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue. Nonlinear Electron Tansport Properties in InAs/AlGaSb Three-Terminal Ballistic Junctions. J. of Physics: Conf. Ser. 2008. 109. 012023
M. Koyama, T. Inoue, N. Amano, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue. Nonlinear electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb ballistic devices. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1. 2008. 5. 1. 107-110
M. Koyama, H. Takahashi, T. Maemoto, S. Sasa, M. Inoue. Ballistic rectification effects in InAs/AlGaSb nanostructures. AIP conference proceeding. 2007. 893. 577
経歴 (1件)：
大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター リサーチアシスタント
所属学会 (3件)：
IEEE
, America Physics Society
, 応用物理学会
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