研究者
J-GLOBAL ID：200901008958355660   更新日: 2022年09月13日

柚賀 正光

ユガ マサミツ | Yuga Masamitsu
研究分野 (2件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (4件)： 電子デバイス ,  電子材料工学 ,  Electronics Devices ,  Electronics Materials
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 薄膜半導体デバイスの特性
  • Si陽極酸化膜の特性
  • Characteristic of thin film Semiconductor Devices
  • Characteristic of Anodic Oxidation Films on Si
MISC (31件)：
  • 柚賀 正光. アモルファスシリコンを用いて試作したダイオードの順方向電流の解析. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2010. 41. 1. 59
  • 柚賀 正光. Si中へ拡散するP濃度の特異性に関する統計論的解釈. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2009. 40. 1. 53
  • 柚賀 正光. 交流による過渡現象を理解するための立体図表示. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2008. 39. 1. 65
  • 柚賀 正光. 電気力線を視覚的に理解するための簡単な作図法. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2006. 38. 1. 25
  • 柚賀 正光. Siを用いて試作した温度センサーの熱処理による影響. 東京工業高等専門学校研究報告書. 2005. 37. 1. 31
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書籍 (3件)：
  • マイクロコンピュータ制御プログラミング入門
    コロナ者 2006 ISBN:4339011967
  • パソコンで学ぶ過渡現象
    森北出版株式会社 1998 ISBN:4627736118
  • C・C++入門
    森北出版株式会社 1994 ISBN:4627836104
講演・口頭発表等 (9件)：
  • 陽極酸化の成長条件による酸化膜内のシリコンと酸素の比率
    (表面技術 2004)
  • シリコン陽極酸化膜中の酸素分布に及ぼす電解液温度の影響
    (表面技術 2002)
  • Analysis of the Anodic Oxidation of Single Crystalline Silicon in Ethylene Glycol Solution
    (The 3rd Korea-Japan Plasuma and Thin Film Technology 1998)
  • P-CVD法によるa-Si:H/金属界面の性質
    (応用物理学会 1987)
  • アモルファスシリコン薄膜の特性
    (電気関係学科東北支部連合大会 1985)
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学歴 (6件)：
  • - 2001 茨城大学 工学研究科 物質科学
  • - 2001 茨城大学
  • - 1978 横浜国立大学 工学研究科 電気化学
  • - 1978 横浜国立大学
  • - 1976 横浜国立大学 工学部 電気化学
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学位 (2件)：
  • 工学博士 (茨城大学)
  • 工学博士 (茨城大学)
経歴 (1件)：
  • 東京工業高等専門学校 電子工学科 教授
所属学会 (1件)：
表面技術協会
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