研究者
J-GLOBAL ID:200901009271839630   更新日: 2022年08月22日

土居 功年

ドイ アツトシ | Doi Atsutoshi
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (2件): 半導体 ,  Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (4件):
  • シリコンSOI構造に関する研究
  • アモルファスシリコンの結晶化に関する研究
  • Study on Silicon SOI Structures
  • Study on Crystallization of Amorphous Silicon
MISC (74件):
書籍 (6件):
  • Optical Constants of Annealed a-Si:H from Transmittance at Normal Incidence
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002
  • Internal Stress and Optical Degradation in a-Si:H Deposited on Glass Substrates
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999
  • Removable External Seeding for Solid Phase Epitaxy of Amorphous Silicon on Glass Substrates
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992
  • Stepwise Monolayer Growth of GaAs by Pulsed Laser Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1987
  • Laser MOCVD Crystal Growth in GaAs
    Extended Abstracts of the 17th Conf. on Solid Stat Devices and Materials, Tokyo 1985
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Works (6件):
  • 3次元デバイスに応用するシリコン単結晶化の研究
    1988 - 1994
  • Crystallization of a-Si for 3D devices
    1988 - 1994
  • フォトセンサの開発
    1988 - 1993
  • Silicon photosenor
    1988 - 1993
  • ガラス基板上薄膜シリコン結晶化の研究
    1988 - 1989
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学歴 (4件):
  • - 1970 大阪大学 基礎工学研究科 電気分野
  • - 1970 大阪大学
  • - 1968 大阪大学 基礎工学部
  • - 1968 大阪大学
学位 (1件):
  • 博士(工学)
委員歴 (3件):
  • 1995 - 1996 レ-ザ-学会 総務委員長
  • 1993 - 1996 応用物理学会 関西支部 評議員
  • 1990 - 1991 電気学会 関西支部 評議員
所属学会 (4件):
電子情報通信学会 ,  レ-ザ-学会 ,  電気学会 ,  応用物理学会
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