研究者
J-GLOBAL ID:200901013684209763   更新日: 2022年09月14日

小川 正毅

オガワ マサキ | Ogawa Masaki
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (5件): 固体の表面構造 ,  電気物性:電子伝導 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  固体デバイス
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2004 - 2007 ULSI材料・プロセス
  • 2004 - 2007 ULSI materials and processing
MISC (91件):
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書籍 (28件):
  • Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価
    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 2007
  • パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価
    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 2007
  • Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価
    ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 2007
  • Conductive-AFMによるゲート絶縁膜劣化現象のナノスケール評価
    半導体・集積回路技術 第70回シンポジウム 講演論文集 2006
  • La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果
    応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-(第11回研究会) 2006
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Works (7件):
  • シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー-
    2006 - 2009
  • 3次元化学状態解析X線光電子分光装置
    2005 - 2009
  • ひずみSOI基盤の転位挙動緩和機構と解析
    2005 - 2006
  • ナノフォトダイオード用ゲルマニウム製薄膜技術の開発
    2005 - 2006
  • 超低消費電力CMOS用ゲルマニウム系薄膜形成技術の研究開発
    2005 - 2005
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学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (1件):
  • 名古屋大学 エコトピア科学研究所 融合研究プロジェクト研究部門 エコトピア科学研究所 融合研究プロジェクト研究部門 教授
委員歴 (2件):
  • 応用物理学会 応用物理学会薄膜表面分科会幹事
  • 応用物理学会 日本表面科学会評議委員
受賞 (4件):
  • 2005 - MNC2004 Award for Outstanding Paper
  • 2005 - MNC2004 Award for Outstanding Paper
  • 1986 - 科学技術庁第45回注目発明受賞(昭和61年4月:超格子の構造)
  • 1979 - 渡辺記念研究奨励賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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