研究者
J-GLOBAL ID：200901013823347211
更新日: 2020年04月30日
紫垣 一貞
シガキ カズサダ | Shigaki Kazusada
所属機関・部署：
旧所属 熊本高等専門学校 制御情報システム工学科
旧所属 熊本高等専門学校 制御情報システム工学科 について
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職名：
教授
研究分野 (2件)：
計測工学
, 電気電子材料工学
研究キーワード (2件)：
計測工学
, Electronic Measurements
競争的資金等の研究課題 (2件)：
1995 - 半導体デバイスの放射線損傷機構に関する研究
1995 - On the radiation degradation mechanism of semiconductor devices
MISC (66件)：
H Ohyama, K Hayama, K Takakura, T Miura, K Shigaki, T Jono, E Simoen, A Poyai, C Claeys. Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI Si diodes. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 517-521
H Ohyama, K Takakura, K Shigaki, S Kuboyama, S Matsuda, E Simoen, C Claeys. Radiation damage of Si photodiodes by high-temperature irradiation. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 536-541
H Ohyama, K Hayama, K Takakura, T Miura, K Shigaki, T Jono, E Simoen, A Poyai, C Claeys. Irradiation temperature dependence of radiation damage in STI Si diodes. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 517-521
H Ohyama, K Takakura, K Shigaki, S Kuboyama, S Matsuda, E Simoen, C Claeys. Radiation damage of Si photodiodes by high-temperature irradiation. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 536-541
8サブ 0.1μmMOSFETの照射損傷. 第17回熊本県産学官技術交流会、講演論文集. 2003. 240-241
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Works (1件)：
先端半導体デバイスの放射線損傷
1995 -
所属学会 (1件)：
東海大学電気学会
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