志村史夫

シムラフミオ | Shimura Fumio

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：電気電子材料工学 , 半導体、光物性、原子物理 , 考古学

研究キーワード (8件)：古代科学・技術・哲学 , 電子材料 , 固体物性(半導体) , philosophy , technology , Ancient science , Elecronic Materials , Solid state physics(Semiconductor)

競争的資金等の研究課題 (6件)：

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MISC (16件)：

L ZHONG, H TSUYA, F SHIMURA. MEASUREMENT OF THE ELECTRONIC TRANSFER PROCESS IN NITRIDE FILM ON A SILICON SUBSTRATE VIA PHOTOCONDUCTANCE DECAY. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 1993. 74. 12. 7311-7314
レーザ/マイクロ波光導電法によるチヨクラルスキーシリコンウエーハ中の成長導入欠陥の非接触評価. 応用物理レター(アメリカ). 1993. 63. 21. 2914
誘電体膜に被われたシリコンウエーハの再結合ライフタイムに及ぼす紫外光照射の影響. 応用物理レター(アメリカ). 1993. 63. 9. 1246
シリコン中の光導電少数キャリアライフタイムと表面光起電力拡散距離. 電気化学協会誌(アメリカ). 1993. 140. 11. 3240
PCD法によるシリコン基板上の窒化膜中の電子移動過程の測定. 応用物理学誌(アメリカ). 1993. 74. 12. 7311

書籍 (41件)：

Works (10件)：

半導体の非接触・非破壊評価法の開発と応用
1987 - 1993
Development and application of non-confact and non-destructive characterization technique for semiconductors
1987 - 1993
チヨクラルスキー法シリコン単結晶の育成と物性評価
1983 - 1987
Growth and characterization of Czochralski silicon Single Crystals
1983 - 1987
化合物半導体中の格子欠陥
1980 - 1983

学歴 (4件)：

学位 (2件)：

所属学会 (2件)：

New York Academy of Science , 日本応用物理学会

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志村 史夫