長尾昌善

ナガオマサヨシ | Nagao Masayoshi

所属機関・部署：
職名：研究グループ長
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=M53036972

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , ナノ構造化学

研究キーワード (4件)：表面エレクトロニクス , 真空ナノエレクトロニクス , フィールドエミッタアレイ , 電界放出

競争的資金等の研究課題 (9件)：

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論文 (184件)：

Takeo Nakano, Kosuke Kimura, Yuto Iijima, Masato Takeuchi, Kei Oya, Masayoshi Nagao, Hisashi Ohsaki. Linear Relationship between Reactive Gas Flow Rate and Target Power at Mode Transitions in Reactive Sputtering. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2024
Masaya Yamamoto, Hiromasa Murata, Noriyuki Miyata, Hiroshi Takashima, Masayoshi Nagao, Hidenori Mimura, Yoichiro Neo, Katsuhisa Murakami. Low-Temperature Direct Synthesis of Multilayered h-BN without Catalysts by Inductively Coupled Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. ACS Omega. 2023
Hiromasa Murata, Kaoru Toko, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao. Impact of the Density and Oxygen Concentration of Initial Amorphous Carbon on Layer Exchange of Multilayer Graphene. Crystal Growth & Design. 2022. 22. 12. 7564-7568
Takeo Nakano, Hyuga Taniguchi, Nanako Dei, Makoto Ozawa, Md. Suruz Mian, Kei Oya, Katsuhisa Murakami, Masayoshi Nagao. Structure optimization of Spindt-type emitter fabricated by triode high power pulsed magnetron sputtering. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2022. 40. 6. 063201-063201
Naoyuki Matsumoto, Yoshinori Takao, Masayoshi Nagao, Katsuhisa Murakami. Oxidation Resistance Improvement of Graphene-Oxide-Semiconductor Planar-Type Electron Sources Using h-BN as an Oxygen-Resistant, Electron-Transmissive Coating. ACS Omega. 2022

MISC (99件)：

Tomoaki Osumi, Ryosuke Hori, Masayoshi Nagao, Hiromasa Murata, Yasuhito Gotoh. Electron emission characteristics of field emitter arrays coated with over-stoichiometric hafnium nitride. 2023 IEEE 36th International Vacuum Nanoelectronics Conference. 2023
鷹尾祥典, 土屋智由, 長尾昌善, 村上勝久. 超小型高推力密度エレクトロスプレースラスタの研究開発. 日本航空宇宙学会誌. 2019. 67. 1. 5-11
嶋脇秀隆, 長尾昌善, 根尾陽一郎, 三村秀典, 高井幹夫. シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 5-8
田口広大, 村田英一, 六田英治, 下山宏, 長尾昌善, 村上勝久. マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの動作チップの放出電流測定 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 39-42
森藤瑛之, 辻博司, 長尾昌善, 秋吉優史, 高木郁二, 後藤康仁. 高線量率のX線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2017. 117. 267. 43-46

特許 (24件)：

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (7件)：

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委員歴 (10件)：

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受賞 (8件)：

2019/09 - 応用物理学会講演奨励賞(共著) Graphene/h-BNを用いた原子層物質積層平面型電子源
2017 - 応用物理学会ポスター賞ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
2015 - International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC'15) Best Poster Award Beam profile measurement of volcano-structured double-gate Spinet-type field emitter arrays
2009 - International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC'09) Best Paper Award Field emitter array with a built-in multi-electrode lens
2008 - International Display Workshops (IDW'08) Best Paper Award Ultra-high luminance FED

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所属学会 (2件)：

日本表面真空学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

長尾 昌善