研究者

J-GLOBAL ID：200901015810878903 更新日: 2024年02月14日

ムリャロフイェゴール

ムリャロフイェゴール | Muljarov Egor

ホームページURL (2件)： http://www.riken.go.jp/lab-www/eel/Index.eng.htm , http://www.riken.go.jp/lab-www/eel/index.htm

研究キーワード (12件)：磁気光学 , 光学 , ナノ構造 , 励起子 , 電子物性 , 半導体 , Magneto-optics , Optics , Nanostructures , Exciton , Electronic properties , Semiconductors

競争的資金等の研究課題 (2件)：

半導体-絶縁体ナノ構造の励起子輻射寿命
Exciton radiative lifetime in periodic Bragg semiconductor-insulator nanostructures

MISC (10件)：

E. A. Muljarov, E. A. Zhukov, V. S. Dneprovskii, Yasuaki Masumoto. Dielectrically enhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: Theory and experiment. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2000. 62. 11. 7420-7432
E. A. Muljarov, E. A. Zhukov, V. S. Dneprovskii, Yasuaki Masumoto. Dielectrically enhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: Theory and experiment. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2000. 62. 11. 7420-7432
E. A. Muljarov, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, Teruya Ishihara. Excitons in self-organized semiconductor/insulator superlattices: PbI-based perovskite compounds. Physical Review B. 1995. 51. 20. 14370-14378
Hyperspherical theory of anisotropic exciton. J. Math. Phys., Vol.41, pp.6026-6041(2000)
Exciton states in quantum wells formed from above-barrier electronic states. JETP lett., Vol.70, pp.621-627(1999) [Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz., Vol.70, pp.613-619(1999)

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学歴 (2件)：

Moscow Institute of Physics and Technology
Moscow School No.20

学位 (1件)：

Ph. D. Candidate of physico-mathematical science

経歴 (6件)：

独立行政法人理化学研究所フロンティア研究システム励起子工学研究チームフロンティア研究員
99.06- : Senior Research Associate, General Physics
RAS, Moscow
98.04-99.06 : Research Associate, General Physics Institute
Institute RAS, Moscow

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