松浦秀治

マツウラヒデハル | Matsuura Hideharu

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.osakac.ac.jp/labs/matsuura/

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (6件)： X線検出器 , ホール測定 , 半導体 , X-ray detector , Hall-ettect measurement , Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (20件)：

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論文 (115件)：

Atsuki Hidaka, Yuki Kondo, Akinobu Takeshita, Hideharu Matsuura, Kazuma Eto, Shiyang Ji, Kazutoshi Kojima, Tomohisa KATO, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura. Comparison of temperature-dependent resistivity of heavily Al- and N-codoped 4H-SiC grown by physical vapor transport and heavily Al-doped 4H-SiC grown by chemical vapor deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 10. 101001-1-101001-6
Hideharu Matsuura, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Yuuki Ishida, Sadafumi Yoshida. Negative Hall coefficient in band conduction region in heavily Al-doped 4H-SiC. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 11. 115701-1-10
Hideharu Matsuura, Akinobu Takeshita, Rinya Nishihata, Yuuki Kondo, Atsuki Hidaka. Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC. Materials Science Forum. 2023. 1093. 73-86
Hideharu Matsuura, Rinya Nishihata, Atsuki Hidaka. Sign and Activation Energy of Hall Coefficient for Hopping Conduction in Heavily Al-Doped 4H-Sic. Journal of Physics and Chemistry Research. 2022. 4. 1. 1-8
Hideharu Matsuura, Yuki Kondo, Kosuke Iida, Atsuki Hidaka, Shiyang Ji, Kazuma Eto, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Sadafumi Yoshida, Hajime Okumura. Simple physical model for the sign of the Hall coefficient in variable-range hopping conduction in heavily Al-doped p-type 4H-SiC. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2021. 60. 3

MISC (9件)：

特許 (11件)：

書籍 (8件)：

Advances in Sensors: Reviews Vol. 6
International Frequency Sensor Association (IFSA) (http://www.sensorsportal.com/HTML/BOOKSTORE/Advances_in_Sensors_VI.pdf) 2018 ISBN:9788409030309
2段階方式で学ぶわかる電磁気学
ムイスリ出版 2015 ISBN:9784896412338
半導体SiC技術と応用
日刊工業新聞社 2011 ISBN:9784526067549
Advances in condensed matter and materials research Vol. 10
Nova Science Publishers 2010 ISBN:9781607419594
絵でわかる半導体工学の基礎
ムイスリ出版 2009 ISBN:9784896411560

講演・口頭発表等 (181件)：

Temperature-Dependent Hall Coefficient in Band Conduction Region for Heavily Al-Doped 4H-SiC
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2023) 2023)
Electrical Properties of Heavily Al-Doped 4H-SiC
(The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials(APCSCRM 2022) 2022)
Al濃度1020 cm-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の結晶性と電気特性との関係
(第64回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学相模原キャンパス 2022)
Al濃度1020 cm-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係
(第81回応用物理学会秋季学術講演会(オンライン) 2020)
Al濃度1020 cm-3台前半のp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率とHall係数
(第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大学四谷キャンパス 2020)

Works (8件)：

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (17件)：

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委員歴 (17件)：

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所属学会 (5件)：

電気化学会 , IEEE , 日本真空協会 , 電子情報通信学会 , 応用物理学会

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松浦 秀治