研究者
J-GLOBAL ID：200901016267449505   更新日: 2009年09月27日

竹田 裕

タケダ ヒロシ | Takeda Hiroshi
所属機関・部署：
NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所

NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所 について


職名： 担当
研究分野 (2件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (2件)： 半導体 ,  semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 2002 - 2005 量子構造素子におけるキャリア輸送現象の解析に関する研究
  • -
MISC (6件)：
  • Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling. Journal of Computational Electronics. 2002. vol. 1, pp. 467-474
  • Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs. Journal of Computational Electronics. 2002. 1, pp219
  • Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling. Pysica B. 2002. 314, pp377
  • Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling. Journal of Computational Electronics. 2002. vol. 1, pp. 467-474
  • Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs. Journal of Computational Electronics. 2002. 1, pp219
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学位 (1件)：
  • Master(engineering) (Osaka University)
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