研究者
J-GLOBAL ID:200901016535970612
更新日: 2020年04月26日
中島 昭
ナカジマ アキラ | Nakajima Akira
所属機関・部署:
旧所属 豊橋技術科学大学 博士後期課程 電子・情報工学専攻 米津研究室
旧所属 豊橋技術科学大学 博士後期課程 電子・情報工学専攻 米津研究室 について
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職名:
大学院生
ホームページURL (1件):
http://www.dev.eee.tut.ac.jp/yonezulab/
研究キーワード (3件):
MBE
, 成長
, 窒化物半導体
競争的資金等の研究課題 (2件):
2002 - 2004 SiC基板上へのBAlNのMBE成長
ステップを形成したSiC基板上へのナノ構造の作製
MISC (2件):
A Nakajima, Y Furukawa, S Koga, H Yonezu. Growth of high-quality A1N with low pit density on SiC substrates. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2004. 265. 3-4. 351-356
Growth of BAlN layers using decaborane on SiC substrates. Journal of Crystal Growth. to be published
学歴 (2件):
- 2002 豊橋技術科学大学 電気・電子工学
- 2000 豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学課程
学位 (1件):
修士(工学) (豊橋技術科学大学)
委員歴 (1件):
応用物理学会 正会員
所属学会 (1件):
応用物理学会
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