研究者
J-GLOBAL ID：200901016651945005
更新日: 2020年05月17日
大倉 健作
オオクラ ケンサク | Ohkura Kensaku
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所属機関・部署：
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター ナノデバイス・システム研究センター
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職名：
研究員
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (8件)：
クーロン振動
, 単電子トランジスタ
, 単電子デバイス
, 半導体デバイス
, Coulomb oscillation
, single-electron transistor
, single-electron device
, semiconductor device
競争的資金等の研究課題 (2件)：
2002 - 単電子トタンジスタ
2002 - Single-electron device
MISC (22件)：
Kensaku Ohkura, Tetsuya Kitade, Anri Nakajima. Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 18
Kensaku Ohkura, Tetsuya Kitade, Anri Nakajima. Cotunneling current in Si single-electron transistor based on multiple islands. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 18
K Ohkura, T Kitade, A Nakajima. Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 98. 12
K Ohkura, T Kitade, A Nakajima. Periodic Coulomb oscillations in Si single-electron transistor based on multiple islands. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 98. 12
S Hamayoshi, T Nakamoto, M Wada, K Ohkura, T Tabei, M Ikeda, K Higuchi. Mobility and number fluctuations in MOS structures. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 4B. 2198-2200
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学歴 (5件)：
- 2002 広島大学 理学研究科 物理科学
- 1998 広島大学 理学研究科 物理学
- 1998 広島大学
- 1996 広島大学 理学部 物理学科
- 1996 広島大学
学位 (1件)：
博士(理学) (広島大学)
所属学会 (4件)：
日本物理学会
, 応用物理学会
, The Physical Society of Japan
, The Japan Society of Applied Physics
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