研究者
J-GLOBAL ID:200901016877475478
更新日: 2020年06月09日
小川 博司
オガワ ヒロシ | Ogawa Hiroshi
所属機関・部署:
旧所属 佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター
旧所属 佐賀大学 シンクロトロン光応用研究センター について
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職名:
教授
研究分野 (3件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件):
発光ダイオード
, シンクロトロン光利用
, 気相エピタキシー
, LED
, Application of SR
, Vapoe Phace Epitaxy
競争的資金等の研究課題 (4件):
1973 - 2004 化合物半導体薄膜の気相成長
1973 - 2004 Vapoure Growth of Semiconductor Thin Film
シンクロトロン光利用
Application of SR
MISC (50件):
T Tanaka, K Hayashida, M Nishio, QX Guo, H Ogawa. Photoluminescence of Cl-doped ZnTe epitaxial layer grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2003. 94. 3. 1527-1530
Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Shanli Wang, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Hiroshi Ogawa. Growth and optical properties of high-quality ZnTe homoepitaxial layers by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 2003. 248. SUPPL. 43-49
Tooru Tanaka, Kazuki Hayashida, Shanli Wang, Qixin Guo, Mitsuhiro Nishio, Hiroshi Ogawa. Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2003. 199. 356-360
Fabrication of Znte light emitting diodes using Bridgman gyown substrates. J.J.Appl.Plys. 2003. vol42 L362-L364
Photoluminescence Properties of ZnTe homoepitaxial layers grwon by synchrotron-radiation-excited growth using nitogen carrier gas. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A. 2003. vol.199 356-360
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学歴 (4件):
- 1971 名古屋大学 工学研究科 電子工学
- 1971 名古屋大学
- 1966 山口大学 工学部 電気工学
- 1966 山口大学
学位 (1件):
工学博士 (名古屋大学)
経歴 (3件):
佐賀大学理工学部 教授
佐賀大学
Professor, Facultiy of Science and Engineering,
所属学会 (8件):
放射光学会
, 結晶成長学会
, 電気学会
, 応用物理学会
, JSSR
, Cnystal Growth
, Institute of Electrical Engineers
, Applied Physics
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