研究者
J-GLOBAL ID：200901017577959410
更新日: 2020年04月30日
中西 伸登
ナカニシ ノブト | Nakanishi Nobuto
所属機関・部署：
東京理科大学 理学研究科
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職名：
大学院生,日本学術振興会特別研究員
MISC (12件)：
K Watanabe, Yang, JR, SY Huang, K Inoke, JT Hsu, RC Tu, T Yamazaki, N Nakanishi, M Shiojiri. Formation and structure of inverted hexagonal pyramid defects in multiple quantum wells InGaN/GaN. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 82. 5. 718-720
K Watanabe, N Nakanishi, T Yamazaki, Yang, JR, SY Huang, K Inoke, JT Hsu, RC Tu, M Shiojiri. Atomic-scale strain field and In atom distribution in multiple quantum wells InGaN/GaN. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 82. 5. 715-717
K Watanabe, Yang, JR, SY Huang, K Inoke, JT Hsu, RC Tu, T Yamazaki, N Nakanishi, M Shiojiri. Formation and structure of inverted hexagonal pyramid defects in multiple quantum wells InGaN/GaN. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 82. 5. 718-720
K Watanabe, N Nakanishi, T Yamazaki, Yang, JR, SY Huang, K Inoke, JT Hsu, RC Tu, M Shiojiri. Atomic-scale strain field and In atom distribution in multiple quantum wells InGaN/GaN. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2003. 82. 5. 715-717
K Watanabe, N Nakanishi, T Yamazaki, M Kawasaki, Hashimoto, I, M Shiojiri. Effect of incident probe on HAADF STEM images. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS. 2003. 235. 1. 179-188
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