研究者
J-GLOBAL ID：200901018931668204
更新日: 2020年08月26日
山田 佳規
ヤマダ ヨシノリ | Yamada Yoshinori
所属機関・部署：
職名：
教授
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件)：
デバイスシミュレーション
, GaAs MESFET
, 半導体デバイス
, Device Simulation
, GaAs MESFET
, Semiconductor Devices
競争的資金等の研究課題 (6件)：
MISC (46件)：
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Modeling heat flow term for device simulation of Submicron GaAs MESFETs. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 19. 13-19
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Quasi Three-valley Hydrodynamic Model for Submicron Size GaAs Devices Based on Non-Maxwellian and Anisotropy. Bulletin of School of Information Science Kyusyu Tokai University. 2002. 129. 25. 13-25
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サブミクロンGaAs MESFETのデバイスシミュレーションのための熱流項のモデリング. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 19. 13-19
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非Maxwell分布と異方性を考慮したサブミクロンGaAsデバイスの電子輸送のための擬 三谷間流体力学モデル. 九州東海大学紀要. 2002. 129. 25. 13-25
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半導体GaAsデバイスのための擬三谷間流体力学モデル. 第5回システムシミュレーションおよび科学計算にかんする国際会議録. 2002. 881
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Works (44件)：
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擬三谷間拡張ドリフト拡散モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
2003 -
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An Analysis of Electron Transport of GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Extended Drift-diffusion Model
2003 -
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擬三谷間流体力学モデルによるGaAs MESFETの電子輸送の解析
2002 -
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An Analysis of Electron Transport in GaAs MESFETs Using Quasi Three-valley Hydrodynamic Model
2002 -
-
サブミクロンGaAsデバイスシミュレーションのためのモデリング
2001 -
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学位 (2件)：
委員歴 (1件)：
- 1987 - 1988 電子情報通信学会 電子デバイス専門委員
所属学会 (3件)：
日本シミュレーション学会
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
