研究者
J-GLOBAL ID：200901020021581134   更新日: 2024年02月14日

本田 善央

ホンダ ヨシオ | Honda Yoshio
所属機関・部署：
名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部

名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 について


職名： 准教授
研究キーワード (1件)： 電子材料
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2015 - 2019 戦略的国際共同研究プログラム V4プロジェクト
  • 2014 - 2019 GaNに関する拠点型共通基盤技術開発/GaN縦型パワーデバイスの基盤技術開発
  • 2015 - 2018 高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発
  • 2013 - 2016 分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
  • 2012 - 2015 半極性GaN/Si上へのInGaN高圧成長及び歪制御によるLDの作製
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論文 (228件)：
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特許 (10件)：
  • 発光層形成用基材、発光体及び発光物質
  • カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法
  • 窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材
  • 半導体素子構造、電子エミッタ、及び半導体素子構造の作製方法
  • 半導体発光素子およびその製造方法
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講演・口頭発表等 (43件)：
  • Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED
    (LEDIA'17 2017)
  • In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE
    (The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 2016)
  • In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method
    (SPIE 2016)
  • 世界を照らす青色LED
    (第20回東海地区分析研究会講演会 2015)
  • 発光ダイオード
    (応用物理学会 赤﨑・天野記念LEDスクール 2015)
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学歴 (1件)：
  • - 2003 名古屋大学 工学研究科 電子工学専攻
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (名古屋大学)
経歴 (13件)：
  • 2016/04/01 - 現在 青山学院大学 非常勤講師
  • 2015/10/01 - 現在 名古屋大学 未来材料システム研究所 准教授
  • 2015/10/01 - 現在 名古屋大学 未来材料システム研究所 准教授
  • 2015/10/01 - 現在 名古屋大学 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部 准教授
  • 2014/12/01 - 現在 名古屋大学 電子情報システム専攻 高等研究院 准教授
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委員歴 (22件)：
  • 2013/04/01 - 現在 学振162委員会 研究会企画幹事
  • 2016/08/01 - 2019/03/31 IWN2018 庶務委員
  • 2017/04/01 - 2018/12/31 ICMOVPE2018 財務委員
  • 2017/04/01 - 2018/03/31 LEDIA18 プログラム委員
  • 2017/04/01 - 2018/03/31 ISPLASMA2018 プログラム委員
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受賞 (1件)：
  • 2009/05/16 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞
所属学会 (2件)：
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 ,  応用物理学会
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