研究者
J-GLOBAL ID：200901020282986204   更新日: 2022年09月28日

清水 博文

シミズ ヒロフミ | Shimizu Hirofumi
ホームページURL (1件)： http://www.ee.ce.nihon-u.ac.jp
研究分野 (4件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (11件)： 結晶工学 ,  誘電体薄膜 ,  表面光電圧 ,  機能性絶縁薄膜 ,  シリコン酸化膜 ,  半導体ナノテクノロジー ,  Crystal Technology ,  Surface Photovoltage ,  Insulator Thin Film ,  Si dioxide ,  Semiconductor Nanotechnology
競争的資金等の研究課題 (12件)：
  • 2003 - 2010 半導体表面の解析、誘電体薄膜の伝導機構の解析及び結晶欠陥に関する研究
  • 2003 - 2010 Study on Semiconductor Surface, Electrical Conduction Mechanism of Oxide Films and Crystal Defects
  • 2002 - 2010 交流表面光電圧法によるシリコン表面における酸化膜電荷、ショットキー障壁に関する研究
  • 2002 - 2010 Study on Oxide charge and Schottky Barrier in Silicon with ac Surface Photovoltage
  • 2002 - 2008 ゾルーゲル法及び蒸着法によるHfO2, ZrO2膜の物性及び電気的特性に関する研究
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論文 (5件)：
MISC (206件)：
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特許 (1件)：
書籍 (15件)：
  • よくわかる半導体LSIのできるまで(共著) -ウエーハ製造工程ー
    日刊工業新聞社 2006
  • 基礎からの半導体工学(共著)
    日新出版 2005
  • 最新シリコンデバイスと結晶技術、
    Realize (Science & Engineering) 2005
  • グローバルスタンダードへの挑戦ー300 mm半導体工場へ向けた標準化の歴史ー 3.5ウエーハ端面形状などについての検討と提案
    SEMIジャパン 2003
  • よくわかる システムLSIのできるまで(共著) -システムLSI対応ウエーハ製造工程ー
    日刊工業新聞社 2002
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講演・口頭発表等 (190件)：
  • CrデポしたSi(001)表面のショットキー障壁から原子的結合への遷移
    (2011)
  • 交流表面光電圧法により検証されたFe誘起負電荷
    (2011)
  • Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
    (7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
  • Photon-Assisted Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Metal-Contaminated n-Type Silicon Wafers, 7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-
    (7th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 15-20 August 2010, Copenhagen and Sonderborg, Denmark, pp.39. 2010)
  • ゾルーゲル法により形成したHfO2膜の物性評価
    (2009)
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Works (30件)：
  • ニオブおよびタンタル誘電体皮膜の研究
    2005 - 2006
  • 高感度薄膜半導体評価技術に関する研究
    2006 -
  • 半導体及び結晶欠陥の評価技術に関する研究
    1999 - 2005
  • Research on semiconductor crystalline imperfections and characteristic technique
    1999 - 2005
  • 半導体材料(寄稿),JETI (Japan Energy and Technology Intelligence)、石油文化社、53 [1], 116-117 (2005).
    2005 -
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学歴 (6件)：
  • - 1972 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻 大学院 工学研究科 金属材料工学専攻
  • - 1972 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Engineering
  • - 1969 東北大学大学院工学研究科金属材料工学専攻 大学院 材料科学研究科 金属材料工学専攻
  • - 1969 Graduate School of Tohoku University Graduate School, Division of Materials Science Material Science
  • - 1967 名古屋工業大学 工学部 金属工学
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学位 (2件)：
  • 工学博士 (東北大学)
  • 工学修士 (東北大学)
経歴 (3件)：
  • 1999 - -:日本大学・工学部・電気電子工学科・教授
  • 1999 - -:Electrical and Electronic Department, College of Engineering, Nihon University, Professor
  • 日本大学 工学部 電気電子工学科 教授
受賞 (2件)：
  • 1999 - 第47回電気科学技術奨励賞(オーム技術賞)
  • 1988 - 日本金属学会金属組織写真奨励賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会(Japanese Journal Applied Physics) ,  Journal of Electrochemical Society
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